招聘

崗位

專任副研究員1名（所屬任務：3-5nm）

崗位

職責

1. FinFET及GAA器件的設計及工藝整合。

2. SiGe材料外延工藝開發。

3. 麵向先進工藝的DTCO技術研究。

招聘條件

1. 擁護黨和國家的各項方針政策
，遵守法律法規

，品行端正；身體健康，心理素質良好；愛崗敬業，恪守學術規範和職業道德。

2. 具有微電子
、物理
、材料相關專業/學科博士學位。

3. 年齡一般在40周歲以下。

4. 須具有副高級專業技術職務任職資格或海外人員達到相應水平
，或任務特需的，具有中級專業技術職務任職資格（獲聘後按中級專業技術職務任職資格認定）

5. 精通半導體器件物理以及集成電路工藝，具有豐富的半導體器件和工藝開發經驗

，包括EBL/刻蝕/外延/ALD/CVD，器件/工藝仿真等。

6. 具有重大項目研究經曆者優先。

招聘

範圍

校內
、外

崗位

待遇

1.與學校簽訂勞動合同，可申請學校相關住房。

2.提供有市場競爭力的薪資待遇和優越的科研環境。

3.符合相關條件的
，可按照學校規定申請子女入托入學。

應聘

程序

1.應聘者發送個人簡曆（包括學習研究經曆、發表論文列表、既往研究成果、未來研究計劃等）至qyx@fudan.edu.cn, 抄送到。

2.擇優安排麵試。

3.擬聘用者報學校審批。

聯係

方式

郵箱：

截止

日期

2023年12月31日

備注

訂立聘用合同或者勞動合同以前有下列情形的，不予錄用：

（1）受過刑事處罰、行政拘留處罰
，或者因涉嫌違法正在接受有關部門調查，尚未作出結論的；

（2）受到黨（團）紀
、政紀處分，處分尚未解除，或者因涉嫌違紀正在接受有關單位調查，尚未作出結論的；

（3）違反高等學校教師職業行為規範的；

（4）在應聘過程中違背誠實信用或者社會公序良俗的；

（5）其他不符合聘用條件的情形。