發布:2026-04-07 15:46:08 關注:5995次
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院係/所/中心(School) |
信息工程學院 |
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項目組負責人(Head of research group) |
孫蕭蕭 |
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項目組研究專業/方向(Department/Area) |
寬禁帶半導體 |
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年薪標準(Annual Salary) |
北京大學深圳研究生院待遇: 待遇麵議; 按照相關規定繳納五險一金。 |
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職位描述(Position Description) |
主要負責氮化镓(GaN)電子器件的流片工藝及測試工作: 工藝製備:負責微納加工超淨間內的關鍵工藝操作(包括但不限於:光刻、ICP/RIE刻蝕、電子束蒸發/磁控濺射鍍膜、快速熱退火、濕法清洗等); 工藝維護:負責器件製備流程的優化,解決流片過程中出現的技術問題,提高器件良率; 測試表征:負責半導體器件的電學性能測試(IV、CV、擊穿電壓等)及結構表征(SEM、台階儀、顯微鏡等); 數據管理:負責實驗數據的記錄、整理與歸納,定期彙報實驗進度; 設備協作:完成團隊交辦的其他科研輔助工作。 |
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申請人基本條件(Basic Qualifications) |
1.具有全日製本科及以上學曆,微電子、半導體物理、光電信息、材料科學等相關專業; 2.品學兼優,身心健康,具有良好的政治思想素質和道德品質; 3.工作積極主動,善於溝通,注重團隊合作。 |
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申請人附加條件(Additional Qualifications) |
1.擁有超淨間工作經驗者優先; 2.熟悉半導體微納加工工藝(黃光、刻蝕、鍍膜等)者優先; 3.有氮化镓HEMT或其他功率/射頻器件製備經驗者極佳; 4.動手能力強,工作細致耐心(工藝細節決定成敗),具有良好的團隊合作精神和溝通能力。 |
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申請材料(Applicant Documents) |
1.個人簡曆(包括個人概況、學習工作履曆); 2.能夠證明個人能力的相關材料。 |
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聯係人(Contact Information) |
(點擊查看),請【點擊下方“立即投遞/投遞簡曆”,即刻進行職位報名】,應聘者請提供以上申請材料發送至郵箱,郵件標題請注明:“應聘xx崗位+畢業院校+專業+姓名+計劃到崗時間”。 |
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備注(Remark) |
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截止時間(Due Date) |
擬招聘1名,招聘名額用完為止。 |
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來源鏈接:
https://www.ece.pku.edu.cn/info/1008/3111.htm
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